納米晶硅技術
  • 納米晶硅組件(左)和非晶硅組件

  • 用於生產納米晶硅的CVD設備

納米晶硅有晶體硅內的非晶相顆粒,相對與完全由晶體硅顆粒構成的多晶硅,由顆粒邊界隔開。二者的區別在於晶體顆粒的大小:納米晶硅內的晶體顆粒多在納米級上下。因有晶體顆粒的存在,相比多晶硅而言,納米晶硅比非晶硅擁有更好的電子遷移率,增強了對紅光和紅外線波長的吸收,提升了光致穩定性,使之成為硅基薄膜太陽能電池的重要原材料。與非晶硅相似,納米晶硅同樣是薄膜電晶體的活躍層、薄膜太陽能電池和組件的上佳選擇。

納米晶硅最重要的優勢在於其擁有更好的穩定性,比非晶硅更容易製造,可運用非晶硅的常規低溫沉積技術實現沉積(例如PECVD),而無需使用製造晶硅的鐳射退火或高溫化學氣相沉積(CVD)流程。將納米晶硅和非晶硅/硅鍺技術結合成為多結太陽能電池,電池轉換效率可提升至12%以上,而成本卻能下降15%以上。